El C535 B es un transistor NPN de silicio con una tensión máxima colector-emisor (Vce) de 300 V, una corriente máxima de colector (Ic) de 1 A y una potencia máxima disipada (Pd) de 0.8 W. Este transistor es adecuado para aplicaciones de baja potencia, como amplificadores de señal, conmutación de baja corriente y circuitos de control. Su diseño compacto y su capacidad para manejar corrientes y tensiones moderadas lo convierten en una opción versátil para una amplia gama de proyectos electrónicos.
